Память

Согласно исследованию, проведенному Мичиганским университетом, сохранять информацию мемристорам - электрическим компонентам, которые хранят информацию с использованием электрического сопротивления даже после отключения питания, помогает разделение фаз, подобно тому, как разделяются масло и вода.

Как и в случае с технологическими процессами, используемыми для изготовления логических микросхем, микросхемы DRAM нуждаются в использовании EUV-литографии, поскольку транзисторы становятся меньше.В настоящее время Samsung и SK hynix используют EUV для нескольких слоев, что дорого. Чтобы сделать EUV значительно дешевле, производителям DRAM придется внедрять трехмерные транзисторы и новые структуры DRAM, сказал разработчик из SK hynix на отраслевой конференции

На фоне волны приложений с искусственным интеллектом спрос на высокопроизводительную память продолжает расти, и DRAM, представленная HBM, набирает значительную популярность. Между тем, для дальнейшего удовлетворения рыночного спроса производители памяти готовы к новому витку технологической “революции” в области DRAM.

В пятницу Ассоциация JEDEC опубликовала предварительные спецификации для памяти с высокой пропускной способностью 4-го поколения (HBM4), поскольку она приближается к завершению разработки стандарта HBM4 DRAM. Как сообщалось, новая спецификация поддерживает 2048-битный интерфейс на стек при более низкой скорости передачи данных, чем HBM3E. Кроме того, HBM4 поддерживает более широкий диапазон уровней памяти, что позволяет использовать новую память для различных типов приложений.