https://lauftex.ru/product/4024-portativnyy-analizator-spektra

Память

Учёные разработали ферроэлектрический дифференциал в памяти, способный выполнять вычисления непосредственно в памяти без использования отдельного процессора

Мировой рынок Разработка электроники Технологии Память материалы ,

Предлагаемый дифференциал обеспечивает энергоэффективность, особенно для периферийных устройств, таких как смартфоны, беспилотные автомобили и камеры видеонаблюдения
https://www.icgamma.ru/brands/sipeed/?erid=LjN8KNmg2

В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире

Мировой рынок Разработка электроники Память Микроэлектроника

Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака, отметило китайское агентство Синьхуа (Xinhua).
2W5zFG21GR6

DDR-память от GS Nanotech внесена в реестр Минпромторга

Российский рынок Рынок электроники Память Производство электроники

Оперативная память (Double Data Rate) производства GS Nanotech — теперь в реестре российской промышленной продукции Минпромторга России. По итогам экспертизы линейка набрала 35 баллов.

Новая память «DRAM+» предназначена для обеспечения производительности DRAM с возможностями хранения данных, аналогичными SSD, и использует технологию FeRAM

Мировой рынок Рынок электроники Разработка электроники Память

Компания Ferroelectric Memory Co. (FMC) объединила усилия с Neumonda для восстановления производства так называемой DRAM + в Германии

В МДП-структурах из германо-силикатных стекол обнаружен мемристорный эффект

Российский рынок Разработка электроники Память материалы

Научные сотрудники Аналитического и технологического исследовательского центра «Высокие технологии и наноструктурированные материалы» Физического факультета НГУ изучили механизм переноса заряда в структурах «металл-диэлектрик-проводник» на основе германо-силикатных стекол.

Китайские исследователи представили технологию самошифрующихся молекулярных жёстких дисков ёмкостью более 100 ТБ

Рынок электроники Разработка электроники Электронные компоненты Память ,

Китайские исследователи разработали молекулярную систему хранения данных высокой плотности, которая использует органические молекулы для хранения и шифрования данных

Управляемая напряжением магнитная память эффективно заменит магниторезистивную MRAM

Память Микроэлектроника Инновации

Исследователи разработали магнитную память, управляемую напряжением, в качестве энергоэффективной альтернативы магниторезистивной памяти.

Intel, Synopsys и TSMC представили память с рекордной плотностью

Мировой рынок Рынок электроники Разработка электроники Память материалы ,

На прошлой неделе на Международной конференции IEEE по твердотельным схемам (ISSCC) два крупнейших конкурента в области производства передовых микросхем, Intel и TSMC, подробно рассказали о возможностях ключевых схем памяти, SRAM, созданных с использованием их новейших технологий, Intel 18a и TSMC N2. Способность производителей микросхем уменьшать размеры схем с годами замедлилась, но особенно трудно было уменьшить SRAM, состоящую из больших массивов ячеек памяти и вспомогательных схем.

SanDisk создает в разы более емкую и дешевую замену DRAM

Мировой рынок Разработка электроники Память

SanDisk работает над памятью 3D Matrix Memory, которая, по ее заверениям, будет вдвое дешевле и в четыре раза более вместительной в сравнении с нынешними планками оперативной памяти стандарта DRAM. Производительность при этом должна быть на одном с ними уровне.

Впервые разработан двусторонний адаптивный интерфейс мозг-компьютер

Рынок электроники Разработка электроники Память Интерфейсы ,

За последние несколько десятилетий биоинженеры разработали множество устройств для интерфейса «мозг — компьютер» (BCI): одни крепятся к коже головы, другие работают с помощью встроенных в мозг электродов. Все они прослушивают мозговые волны, учатся распознавать паттерны, которые могут быть связаны с разными мыслями, а затем прослушивают те же паттерны, чтобы выполнить желаемое действие — например, переместить курсор на экране к кнопке и нажать на неё.

Samsung представила LPDDR5 со скорость передачи данных до 12,7 ГТ/с

Рынок электроники Разработка электроники Память Производство электроники

На Международной конференции по твердотельным схемам (ISSCC) компания Samsung представила еще одно расширение спецификации LPDDR5, увеличив скорость передачи данных до 12 700 МТ/с (12,7 ГТ/с).

Nvidia, SK Hynix, Samsung и Micron работают над новым стандартом памяти SOCAMM

Мировой рынок Рынок электроники Разработка электроники Память

Сообщается, что Nvidia объединилась с производителями памяти SK hynix, Micron и Samsung для создания нового стандарта памяти, который будет небольшим по размеру, но большим по производительности

Tехнология энергонезависимой памяти SOT-MRAM может заменить кэш-память в компьютерной архитектуре

Мировой рынок Рынок электроники Разработка электроники Память ,

В настоящее время на центры обработки данных приходится около 1% мирового потребления энергии, что составляет 200 тераватт-часов электроэнергии в год. Такой огромный спрос на энергию побудил исследователей искать инновационные способы сокращения энергопотребления.

Ведущий китайский производитель микросхем памяти CXMT сокращает технологический разрыв с Samsung, Hynix и Micron

Мировой рынок война чипов Рынок электроники Разработка электроники Память

Последние микросхемы памяти DDR5, выпущенные компанией, используют техпроцесс 16 нм, преодолевая ограничения, которые Вашингтон пытался ввести с помощью санкций

Samsung в опасности: треть инженеров крупного китайского производителя памяти являются гражданами Южной Кореи

Мировой рынок Память Микроэлектроника Защита информации ,

В конце 2024 года китайская компания-производитель микросхем памяти CXMT начала массовое производство чипов DDR5, что вызвало волну интереса к её технологическим достижениям.

Вопреки санкциям крупнейший китайский производитель чипов памяти YMTC совершил ещё один прорыв в дизайне

Мировой рынок война чипов Разработка электроники Память

YMTC внедрила свою новую конструкцию микросхемы памяти Xtacking4.0 в 3D-чип NAND с самой высокой плотностью в отрасли.

Разработан новый тип быстрой и масштабируемой оптической памяти

кремниевая фотоника Разработка электроники Память ,

Это новый вид элемент памяти позволяет временно хранить данные в системах оптической обработки, предлагая высокоскоростное решение для энергозависимой памяти с использованием кремниевой фотоники.

Samsung начинает пробное производство памяти HBM4 с использованием собственного 4-нм техпроцесса

Мировой рынок Рынок электроники Разработка электроники Память

Успех Samsung в секторе DRAM, безусловно, зависит от прогресса в разработке HBM нового поколения. По данным южнокорейского издания Chosun Daily, компания начала пробное производство микросхем, используемых в HBM4. Что ещё более важно, она начала серийное производство, используя собственный техпроцесс 4 нм.

SK Hynix построит фабрику для производства чипов памяти HBM в США

Рынок электроники Память Производство электроники

Министерство торговли США выделило SK Hynix 458 миллионов долларов в качестве прямого финансирования для проекта по строительству завода по производству упаковки и научно-исследовательского центра в Уэст-Лафайетте, штат Индиана, стоимостью 3,87 миллиарда долларов.