Чувствительность оптических сенсоров увеличена в 100 раз


Ученые из Rohm и Национальной академии AIST создали прототип [[оптического сенсора структуры CIGS (Cu-In-Ga-Se),]] на два порядка более чувствительного по сравнению с CCD, CMOS и другими датчиками на основе кремния.

Специалисты из Rohm Co Ltd и ученые из Исследовательского центра фотоэлектричества (Research Center for Photovoltaics) Национальной академии AIST (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology) создали прототип оптического сенсора структуры CIGS (Cu-In-Ga-Se), на два порядка более чувствительного по сравнению с CCD, CMOS и другими датчиками на основе кремния.

По заявлению ученых, чувствительность датчика составляет 0.001 лк, что недостижимо для сенсоров на основе кремния. Датчик способен регистрировать изображение в ближней ИК-области. Возможные области применения – камеры слежения, автомобильные камеры, устройства идентификации по рисунку вен и радужной оболочке глаза. Датчик способен работать в широком диапазоне освещенности – от яркого света до практически полной темноты.

Используемый в новом сенсоре фотодиод имеет структуру, схожую со структурой солнечных элементов CIGS. Ученым удалось увеличить число генерируемых фотоном электрических зарядов и повысить чувствительность устройства по сравнению с Si датчиками в 100 раз. Они объясняют свой успех оптимизацией соотношения материалов в структуре и улучшением параметров технологического процесса.

В дальнейшем Rohm намерена заняться коммерциализацией этого изобретения, увеличить разрешение приборов путем их микроминиатюризации, снизить разброс чувствительности пикселей, усовершенствовав технологию.

Впервые прототип CIGS датчика специалисты из Rohm и AIST продемонстрировали на выставке CEATEC, которая прошла в Японии в октябре 2007 г.

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *