Британцы создали память с преимуществами DRAM и NAND одновременно

Ключом к новой памяти стала новая структура транзистора, и построенной на нем ячейка памяти. Уточним, что пока параметры этих кирпичиков будущей памяти только смоделированы. Для хранения информации в новой памяти используется плавающий затвор, но он изолирован не оксидом кремния, как в современной памяти, а тоннельным переходом на границе между слоями разных полупроводниковых материалов: арсенида индия и антимонида алюминия. Структура также включает слои из других материалов.

В отличие от памяти DRAM содержимое ячеек UK III-V не надо периодически перезаписывать. Единственный вопрос, с которым пока нет ясности — это ресурс новой памяти. Если память UK III-V не боится большого числа перезаписей, она вполне может заменить DRAM и NAND в компьютерах и мобильных устройствах будущего, включающихся моментально и потребляющих значительно меньше энергии, чем современные образцы.

Источник: ElectronicsWeekly.com

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *

Rambler's Top100