Полупроводниковая микроэлектроника — 2023 г. Часть 2. Мировой рынок временно упал, но быстрый рост производственных мощностей и новых технологий продолжается

Прогнозы спада мирового полупроводникового рынка в 2023 году подтвердились, и он снизится на 9,4%, но в следующем году пойдет в рост. Страны мира еще до конца не оправились от ковидной эпидемии, начавшихся проблем экономики, но, понимая стратегическую важность и долгосрочные перспективы полупроводниковой отрасли, продолжили наращивание и модернизацию производственных мощностей. США, Евросоюз, Япония, Китай и другие передовые страны различными способами и субсидиями стимулируют этот процесс, направленный на рост объемов производства и продажи продукции и на создание многочисленных рабочих мест. Компания TSMC расширяет производственную экспансию в США, Евросоюз, Японию. Разработка новых технологий для выпуска чипов и современной сборки, которые станут базовыми в ближайшее десятилетие, не прекращается.

Полупроводниковая микроэлектроника – 2022 г.
Часть 1. Оптимизм роста сменился падением мирового рынка и неопределенностью

Мировая полупроводниковая отрасль пошла в уверенный рост в начале 2022 г., который сменился в середине года падением рынка многих электронных товаров, связанным с осложнением мировой политической ситуации. Мировая экономика из-за ковидной эпидемии и политической напряженности вошла в рецессию, подогреваемую ростом санкционных ограничений США в отношении Китая в сегментах hi-tech, в т. ч. в электронной промышленности. Крупные мировые компании сокращают инвестиции в капитальное строительство и новые производства, а находящаяся в кризисе Intel экономит и сокращает персонал. Мир готовится к очередному экономическому кризису, но работы по полупроводниковым технологиям 1–2 нм продолжаются.

Полупроводниковая микроэлектроника – 2021 г.
Часть 2. SIC и GAN – основа новой силовой электроники настоящего и будущего

Трансформация мирового автомобильного рынка с увеличением производства автомобилей с электрическим приводом в последние годы создала невероятный запрос на развитие в мире электронных компонентов на основе SiC- и GaN-полупроводников с широкой запрещенной зоной, без которых невозможно представить электронику современных и будущих гибридных автомобилей и электромобилей, систем связи, мобильных устройств и космической техники. Этот спрос привел к резкому росту инвестиций в разработку и освоение новых технологий для SiC- и GaN-пластин большего диаметра, чтобы сократить себестоимость производства электронных изделий и продолжить вытеснение классических кремниевых компонентов. А что происходит в России?