Влияние топологии многокристальных IGBT-модулей на распределение тока между транзисторными чипами 08.09.202010.09.2020 Силовая электроника Статьи #Протон-Электротекс Целью настоящей работы является экспериментальное исследование факторов, влияющих на распределение постоянного тока между параллельно включенными транзисторными чипами в многоэлементном IGBT-модуле.