Элад Ментович (Elad Mentovich), аспирант Тель-авивского университета, создал вертикальный транзистор из одной молекулы углерода С60 (фуллерена). Этот транзистор может стать основой логических и запоминающих устройств.
По словам Ментовича, крупные компании, работающие на рынке памяти, уже проявили интерес к данной технологии. Аспирант был награжден за эту работу призом на Европейской конференции, устроенной американским обществом материаловедов (Materials Research Society).
![]() |
Молекулярная структура углерода С60
Поскольку диаметр запоминающего устройства, построенного на одной молекуле углерода сферической формы, может составлять 1 нм, такая память является хорошим кандидатом на применение в эпоху пост-КМОП-технологий. Ментович утверждает, что такие запоминающие устройства можно уже производить на имеющихся кремниевых фабриках.
Переключением молекулярного транзистора можно управлять с помощью напряжения и затвора в гистерезисном режиме, что вполне годится для случая с запоминающими устройствами. Из аннотации к работе неясно, является ли созданное устройство энергонезависимым, но его преимущество перед DRAM-памятью состоит в малом размере и в отсутствии необходимости использовать отдельный конденсатор.
Для объяснения механизма работы молекулярного транзистора и принципа его построения используется поляронная модель. Полярон представляет собой медленно движущийся электрон в диэлектрическом кристалле. При этом электрон сопровождает облако фононов, вызванное решеточной деформацией.
Статья Ментовича «Post-complementary metal-oxide-semiconductor vertical and molecular transistors: A platform for molecular electronics» была опубликована в журнале Applied Physics Letters в июле 2011 г.
Источник: EE Times
Читайте также:
Синтезирован органический металл на основе фуллерена
Органические магниты: мечты и реальность
Ветряки получат лопасти диаметром до 300 метров
IBM создает 9-нм транзисторы на углеродных нанотрубках
Прорыв в области технологии хранения данных
Создан полностью оптический транзистор
Созданы энергоэффективные туннельные полевые транзисторы
На пути к милливольтной электронике


