ASML и Globalfoundries объявили о сотрудничестве по 28- и 20-нм техпроцессам


ASML объявила о том, что одна из ее дочерних компаний будет сотрудничать с Globalfoundries для продвижения разработок по уменьшению технормы.

В ASML заявили, что Brion Technologies, которая является подразделением ASML, будет сотрудничать с Globalfoundries по поставке высокопроизводительной вычислительной литографии с возможностью проектирования макетов фотошаблонов для 28-нм и 20-нм-процессов.

По утверждениям представителей ASML, целостный подход компании к литографии позволяет реализовать расширение окон процессов в пространстве «фокус – доза экспозиции» и контролировать данный процесс на всех стадиях – от проектирования макета фотошаблона до производства микросхем. Высокоточная модель процесса, получаемая из массива данных, интегрируется со сканерами ASML.

Как заявил Крис Спенс (Chris Spence), старший научный сотрудник Globalfoundries, на 28 нм и ниже для получения воспроизводимого процесса экспонирования, необходимо исследовать и понимать все возможности по улучшению параметров окон процессов. По словам г-на Спенса, решения вычислительной литографии компании Brion и применение метода OPC, который позволяет выполнять коррекцию топологии ИС на стадии проектирования фотошаблонов, обеспечат наилучший показатель выхода годных изделий заказчиков Globalfoundries.

Как отметил в этом же заявлении Джим Кунмэн (Jim Koonmen), генеральный менеджер Brion, в компании с нетерпением ожидают расширения партнерских отношений с Globalfoundries и надеются на успешное применение чипмейкером передовых технологий Brion на нормах 28, 20, 14 нм и ниже.

Читайте также:
Конференция ISSCC: литография жесткого ультрафиолета — лучший выбор для техпроцесса 10 нм и ниже
Globalfoundries и Samsung в гонке за 14 нм
IBM пессимистично смотрят на EUV-литографию
ASML и Cymer сообща создадут установку для EUV-литографии
Высокопроизводительные EUV-системы появятся в 2016 г.
Top-10 слияний в электронной отрасли в 2012 году

Источник: DigiTimes

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *