Уоррен Ист (Warren East), директор по лицензированию архитектуры процессоров ARM, заявил, что его компания готова помочь STMicroelectronics добиться успеха в производственном процессе микросхем FDSOI (полностью обедненный кремний-на-изоляторе), но при этом, ST должна открыть широкий доступ к своему техпроцессу.
В интервью изданию EE Times во время дискуссии о финансовых результатах ARM в IV кв. и в целом за 2012 г., Уоррен Ист сказал про FDSOI: «Мы считаем, что это очень хорошая технология и мы поддержим ST в ее распространении. Функциональные блоки, которые нам необходимо создать, по сути те же (что и в монолитной КМОП-технологии)».
FDSOI технология появилась на 28-нм техпроцессе как потенциальная альтернатива монолитной (bulk) КМОП-технологии, которая была усовершенствована до нормы 20 нм такими производителями, как TSMC и Globalfoundries. Оба этих производителя предлагают быстрый переход на техпроцессы с FinFET-транзисторами с нормами 16 нм и 14 нм соответственно.
Некоторые эксперты доказывают, что 20-нм объемная планарная КМОП-технология не позволяет значительно снизить энергопотреление, в то время как остается сложной в производстве. FinFET технология, в которой элементы транзисторов формируются в пластинах, возвышающихся над поверхностью кремния, может оказаться еще более сложной и трудной для внедрения.
Однако для FDSOI технологии, разработанной STMicroelectronics, пока что не введено больших производственных мощностей. Производство может быть поставлено на поток не ранее IV кв. 2013 г. ST понимает, что Globalfoundries может лицензировать технологию и запустить массовое производство.
ARM работала со многими передовыми проектными и фаундри-компаниями, которые разрабатывают комплекты конструкторской документации, средства автоматизации проектирования и тестируют микросхемы, чтобы подтвердить качество обеих технологий – монолитной КМОП с 28- и 20-нм техпроцессами и FinFET-проектов компаний TSMC и Globalfoundries с техпроцессом менее 20 нм. Результаты аналогичной работы по технологии FDSOI не были разглашены.
 |
FDSOI-транзистор с техпроцессом 20 нм значительно проще объемного КМОП транзистора. Источник: HotHardware
«Сегодня это фактически проприетарная технология. Мы можем помочь ST, если они смогут расширить использование технологии», – добавил Уоррен Ист.
Он отказался комментировать, насколько совместима с FDSOI собственная технология ARM «big.LITTLE» («большой-малый»), в которой ядро, оптимизированное по энергопотреблению, работает в паре с ядром с высокой производительностью – как часть системы динамического управления напряжением и частотой. FDSOI может уменьшить энергопотребление, но также и достичь высокой тактовой частоты с помощью расширенного диапазона рабочих напряжений.
«big.LITTLE – это один из методов достижения энергоэффективности. FDSOI – это другой метод. Имеется простор для множества других методов. Наши люди видели демонстрационные образцы. Нам не нужно модифицировать наши IP-блоки. Демонстрационные образцы ST, в любом случае, основываются на ARM», – подчеркнул Уоррен Ист.
Читайте также:
План внедрения FDSOI претерпел ключевые изменения: теперь сразу 14 нм
ST предоставляет университетам 28-нм процесс FD-SOI
Блестящие достижения ARM на рынке в 2012 г.
IBM, ARM и Cadence передали в производство первый 14-нм процессор
20-нм планарный техпроцесс не подходит для мобильных приложений
ARM-технология: опережать конкурентов
Источник: EE Times