ARM и TSMC всё-таки опережают Intel в технологии производства СнК

Уоррена Иста (Warren East), исполнительного директора ARM, вовсе не пугает, что Intel технологически опережает те фаундри, которые сотрудничают с ARM.

Это заявление Ист сделал невзирая на то, что крупносерийное производство ARM-процессоров по технологии FinFET начнется не ранее второй половины 2015 г.

Быстродействие устройств на основе FinFET-транзисторов станет выше, а ток утечки в выключенном состоянии – меньше. Intel уже серийно производит полупроводники на основе 22-нм FinFET КМОП-процесса, тогда как TSMC только завершает освоение 28-нм планарной КМОП-технологии.

Однако Ист заявил о том, что ARM и TSMC, хоть и незначительно, но опережают Intel в области СнК-технологий (система-на-кристалле). Intel производит эти полупроводники с помощью 32-нм процесса HKMG (high-k metal gate), а TSMC – по 28-нм процессу HKMG.

По словам Иста, хотя 22-нм технология FinFET-транзисторов и используется в крупносерийном производстве кристаллов для ПК, изготовить СнК с широким набором периферийных цепей по этому процессу – задача не из легких.

Решения Intel для смартфонов и планшетных ПК базируются на платформе Medfield с 32-нм процессорами Atom. В 2013 г. Intel начнет выпуск малопотребляющих процессоров Atom с архитектурой Silvermont по 22-нм FinFET КМОП-процессу. Платформа Merrifield для смартфонов старших моделей будет реализована с помощью 22-нм FinFET.

Комментируя состояние дел относительно 16-нм FinFET-процесса от TSMC и 20-нм FinFET-процесса от UMC, Ист сказал, что пока не представляется возможным точно определить, когда будет готова технология FinFET для ARM.

Процессорные ядра ARM, производство которых также возможно с помощью 28-нм процесса FDSOI (полностью обедненный кремний-на-изоляторе), разработанного компанией STMicroelectronics, передаются на фабрику GlobalFoundries для выпуска по норме 20 нм.

Источник: EE Times

Оставьте отзывОтмена