Altera начнет выпускать 20-нм ПЛИС в следующем году

Компания Altera приступит к выпуску 20-нм изделий в следующем году, а в 2014 г. начнет серийное производство этой продукции. Об этом заявил Брэдли Хау (Bradley Howe), ст. вице-президент отдела R&D, Altera.

Новый техпроцесс обеспечит вдвое большую плотность по сравнению с 28-нм кристаллами и позволит на 60% уменьшить потребление статической и динамической мощности. В результате появятся трансиверы на 40 Гбит/с и объединительные платы с интерфейсам на 28 Гбит/с.

20-нм транзистор, изготовленный по технологии FD-SOI (справа), реализован намного проще, чем даже упрощенный вариант КМОП-транзистора на монолитной подложке (справа)

DSP в новых кристаллах для высокопроизводительных приложений обеспечат производительность в 5 Тфлопс. В настоящее время изделия Altera разрабатываются по 20-нм КМОП-процессу TSMC с использованием монолитной подложки (bulk CMOS process). По словам Хау, TSMC удалось обеспечить очень высокий выход годных на этой норме.

В то же время Altera активно работает над освоением FinFET-технологии. Поскольку TSMC намеревается использовать 20-нм FinFET-процесс в производстве кристаллов, Altera не исключает возможности задействовать эту технологию при изготовлении второго поколения продукции.

В то же время Altera пытается оценить возможности другой технологии производства – FD-SOI.

На вопрос о том, не озабочено ли руководство Altera тем, что конкурирующие компании Achronix и Netronome получают пластины у Intel, Хау ответил, что одной из нескольких проблем, с которыми столкнулась продукция этих поставщиков, является недопустимо большое энергопотребление.

Кроме того, эти изделия страдают от невысокой надежности сред проектирования, тогда как Altera сильна как в программной, так и в аппаратной реализации кристаллов.

Источник: Electronics Weekly

Оставьте отзывОтмена