Altera и Xilinx перейдут с CoWoS- на PoP-технологию при корпусировании своих чипов


Перевод продукции следующего поколения на 20-нм техпроцесс с корпусированием в TSMC по CoWoS-технологии за последние месяцы не оправдал ожиданий Altera и Xilinx.

Согласно отчету, опубликованному в китайском издании Economic Daily News (EDN), Altera и Xilinx будут корпусировать свои кристаллы следующего поколения с использованием технологии PoP (корпус-на-корпусе), отказавшись от процесса объемной сборки чипов CoWoS (кристалл-на-пластине-на-подложке), разработанного компанией Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC).

Сборка кристаллов в корпус по CoWoS-технологии компании TSMC. Рисунок: Xilinx

Altera и Xilinx рассматривают возможность размещения своих заказов на корпусирование чипов в компаниях Advanced Engineering Semiconductor (ASE) и Siliconware Precision Industries (SPIL), которые в 2013 г. планируют наращивать производственные мощности для PoP-технологии. Согласно EDN, Amkor Technology также является для чипмейкеров альтернативной компанией для размещения заказов по сборке кристаллов.

Технология корпусирования PoP

Перевод продукции следующего поколения на 20-нм техпроцесс с корпусированием в TSMC по CoWoS-технологии за последние месяцы не оправдал ожиданий Altera и Xilinx по коэффициенту отдачи, а также по стоимости производства на единицу продукции, что вынудило чипмейкеров искать альтернативные решения для сборки своих кристаллов.

Как сообщается в EDN, в компаниях TSMC, ASE и SPIL отказались комментировать отчеты рынка. Но при этом в TSMC заявили, что компания будет продолжать продвигать свою CoWoS-технологию, и стремление компании получить доход в 1 млрд долл. США к 2015 г. от CoWoS-бизнеса остается неизменным.

Читайте также:
Кремниевая долина: Xilinx, Altera, кто будет первым?
Для 10-нм чипов может потребоваться четырехкратное экспонирование
TSMC предложит сборку 3D-микросхем в начале 2013 г.
Компании ASE и SPIL, занимающиеся корпусированием ИС, в 2Q12 получили рост прибыли на 50%
ASE и SPIL добились прогресса в корпусировании ИС с медными межсоединениями

Источник: DigiTimes

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *