3D-память Micron заинтересовала еще две компании


Ожидается, что через несколько недель у Micron появится два новых партнера, которые будут участвовать в работе над созданием гибридной объемной памяти. Сейчас в проекте задействованы Аltera, OpenSilicon, Samsung, Xilinx, IBM и Intel.

Многослойная гибридная память (HMC — Hybrid Memory Cube) представляет собой стек из 4–8 DRAM, связанных в один объемный чип. Ранее данная технология была описана более подробно. Уже в начале следующего года появятся 3D-кристаллы емкостью 2 и 4 Гбайт и пропускной способностью в двух направлениях до 160 Гбайт/с. Кристаллы могут появиться уже в середине следующего года.

Члены консорциума разработчиков технологии, в который входит Micron, пока не могут разработать единый интерфейс доступа к кристаллу. Возможно, споры прекратятся в середине года, когда Micron официально представит черновую версию стандарта. На данный момент предполагается, что гибридная память будет иметь скоростной последовательный интерфейс и пакетный принцип обмена данными.

Компания Micron не единственная занимается объемными кристаллами памяти. Так, группа JEDEC работает над интерфейсом для мобильных приложений, позволяющим передавать данные со скоростью 12,8 Гбит/с. Другой стандарт, HB-DRAM или HBM, обеспечивает скорость обмена 120–128 Гбайт/с.

Источник: EE Times

Читайте также:
TSMC предложит сборку 3D-микросхем в начале 2013 г.
Центр трехмерной сборки микросхем будет создан в Воронеже
РОСНАНО готова софинансировать проект по разработке 3D сборок
Российская микроэлектроника 2011/2012: итоги и прогнозы
Новый подход в тестировании объемных кристаллов

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *