32 нм техпроцесс для радиочастотных устройств


На прошлой неделе на симпозиуме VLSI Circuits на Гавайях, корпорация Intel объявила о возможности создания СнК и РЧ-устрйоств по 32-нм технологии. Ее основу составляют транзисторы с диэлектриками high-k и металлическими затворами второго поколения.

Начиная с прошлого года, Intel начала поставлять микропроцессоры на основе 32-нм технологии. Это уже третий 32-нм технологический процесс от Intel. Первым был для процессоров, а второй для систем на кристалле. Как заявил Майк Майберри (Mike Mayberry ), вице президент и директор по исследованию компонентов Intel, третий предназначен для РЧ-устройств и СнК.

На презентации было отмечено, что особенностью технологического процесса являются низкие токи утечки и отличные рабочие характеристики.

Intel утверждает, что при NMOS-технологии достигается частота срезам fT при  420 ГГц. А при низкой утечки 30pA/um,  эта частота составляет: 218 ГГц.

Теперь, когда по 32-нм технологии создаются транзисторы с высоким напряжением пробоя, возможно и производство усилителей мощности в WiFi, WiMAX, сотовых и GPS устройствах.

 

Источник: EETimes

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *