Минпромторг запускает разработку автоматизированной установки для контроля процесса ионного легирования полупроводниковых пластин диаметром до 200 мм. Система на базе искусственного интеллекта должна заменить американские установки KLA-Tencor.
Как выяснил CNews, Минпромторг выделил 1,38 млрд руб. на ОКР изготовление опытного образца автоматизированной установки контроля процесса ионного легирования в структурах полупроводниковых пластин диаметром до 200 мм (шифр «Контроль-ИИ»).
Установка должна заменить американское оборудование KLA-Tencor (модели ThermaProbe TP500 и TP630). Эти системы используются для контроля доз легирования — ключевого процесса внедрения примесей в полупроводниковые пластины для создания транзисторов и диодов. Прямых отечественных аналогов не существует. Тендер в формате открытого конкурса опубликован 1 июня 2026 г., следует из портала госзакупок.
Искусственный интеллект в этой установке используется для автоматического распознавания топологического рисунка на продуктовых пластинах. Система с помощью видеопроцессора и камеры находит метки или произвольный рисунок топологии, выравнивает пластину и точно позиционируется на измеряемый объект.
Кроме того, ПО на базе технологий ИИ строит калибровочные кривые сигнала термических волн от параметров имплантации, автоматически определяет и рассчитывает уровень имплантационной дозы, а также компенсирует искажения при измерении через слои диэлектриков.
Программное обеспечение должно обеспечивать автоматический поиск области исследования по координатам или маркерам, ведение статистики по партии (среднее, отклонение, гистограммы, карты отклонений) и поддержку подключения к системам автоматизации по протоколам SECS/GEM.
Исполнитель должен создать автоматизированную установку для контроля ионного легирования на мониторных и продуктовых (с готовой топологией) пластинах диаметром 100, 150 и 200 мм. Опытный образец изготавливается для пластин 200 мм. Контролируемые легирующие примеси — бор, фосфор, мышьяк, индий, сурьма и другие.
Среди технических требований: локальность измерения — 1 микрометр, обнаружительная способность дозы — не более 3%, скорость обработки — не менее 10 пластин в час при измерении 9 точек на пластину. Привносимая дефектность — не более 10 частиц размером от 0,12 микрометра на пластину 200 мм.
В основе работы установки — метод термических волн, когда лазер накачки возбуждает поверхность пластины, а зондирующий лазер регистрирует отклик. По этому сигналу система рассчитывает дозу легирования.
Критические комплектующие — оптический стол, источники лазерного излучения, оптическая система, фоточувствительные детекторы, механизмы загрузки и позиционирования пластин, центральный контроллер и программное обеспечение — должны быть российского производства.
Применение иностранных комплектующих допускается только при наличии обоснования в техническом проекте и письменного согласования с Минпромторгом. Работы по ОКР должны быть выполнены до октября 2029 г.