Компания Tiancheng Semiconductor объявила, что с помощью собственного оборудования ей удалось вырастить монокристалл карбида кремния (SiC) размером 14 дюймов и эффективной толщиной 30 мм.
Этот прорыв знаменует переход Китая к крупноразмерным материалам SiC — от «фазы внедрения 12-дюймовых» к первому шагу к коммерциализации 14-дюймовых.
В последнее время ряд компаний по всему миру активизировали работу над 12-дюймовыми и 14-дюймовыми монокристаллами и подложками из карбида кремния, что привело к усилению конкуренции. За этой глобальной гонкой за увеличение размеров пластин стоит главная цель отрасли — снижение затрат, повышение эффективности и выход на высококонкурентные рынки полупроводников с широкой запрещенной зоной.
По сравнению с распространенными в настоящее время 6-дюймовыми и 8-дюймовыми подложками из карбида кремния, 12-дюймовые и более крупные пластины значительно увеличивают эффективную площадь чипа при тех же производственных условиях. Это не только снижает стоимость производства одного чипа, но и позволяет использовать их в высокотехнологичных устройствах, таких как силовые приборы и компоненты полупроводникового оборудования. Ожидается, что пластины большего размера сыграют ключевую роль в технологическом обновлении таких отраслей, как производство электромобилей, фотоэлектрических накопителей энергии и центров обработки данных с искусственным интеллектом.
По оценкам специалистов, 12-дюймовые подложки из карбида кремния могут обеспечить более чем в три раза большую производительность чипов на единицу площади по сравнению с 6-дюймовыми пластинами, при этом снижая общую стоимость примерно на 40 %. Появление 14-дюймовых пластин может еще больше усилить эти преимущества, приблизив карбид кремния к новому этапу масштабного промышленного внедрения.