Новые меры диэлектрических параметров призваны заменить государственные стандартные образцы (ГСО) диэлектрической проницаемости. А новый прибор позволяет выполнять точные измерения как на макро-, так и на микроскопическом уровне, особенно востребованные при работе с радиочастотными и высокочастотными устройствами, а также при контроле качества сборки и исследованиях материалов микроэлектроники.
Специалисты Восточно-Сибирского филиала Всероссийского научно-исследовательского института физико-технических и радиотехнических измерений (ВСФ ВНИИФТРИ) Росстандарта завершили разработку мер диэлектрических параметров МДП — новых средств измерений (СИ) для определения диэлектрических свойств материалов. Данные СИ будут использоваться в качестве рабочих эталонов 1-го разряда и заменят применяемые сегодня Государственные стандартные образцы (ГСО). Применение новых мер существенно повысит качество и надежность работы современной радиоэлектроники, телекоммуникаций и других высокотехнологичных отраслей.
«Измерение диэлектрических параметров — необходимость при создании новых радиоэлектронных устройств и комплексов. Сегодня Восточно-Сибирский филиал ВНИИФТРИ — единственный в России производитель отечественных мер диэлектрических параметров. Продукция филиала не только гарантирует высокую точность проводимых измерений, но и способствует технологической независимости страны, позволяя создавать конкурентоспособные российские изделия, соответствующие современным требованиям», — говорит генеральный директор ФГУП «ВНИИФТРИ» Сергей Донченко.
Новые меры диэлектрических параметров призваны заменить государственные стандартные образцы (ГСО) диэлектрической проницаемости, которые ранее применялись при калибровке и поверке оборудования, однако, их выпуск в настоящее время прекращен. Техническая поддержка остающихся в эксплуатации ГСО институтом будет продолжена, что обеспечит преемственность и надежность измерений.
Производство мер МДП организовано по мелкосерийному принципу, что обеспечивает оперативное выполнение запросов предприятий отрасли и позволяет гибко реагировать на потребности рынка. Поверка новых средств измерений будет осуществляться непосредственно силами Восточно-Сибирского филиала ВНИИФТРИ. Такой подход гарантирует качество выпускаемой продукции, а также способствует ускоренному внедрению отечественных разработок на предприятиях радиоэлектронной, телекоммуникационной и других высокотехнологичных отраслей.
«Отрасль заинтересована в отечественных средствах измерений: мы уже получаем запросы на приобретение мер от ведущих предприятий–разработчиков оборудования не только региона, но и России. Это подтверждает актуальность разработки и ее значимость. Применение отечественных измерительных технологий играет важную роль в обеспечении конкурентоспособности и эффективности разрабатываемых сегодня электронных компонентов», — отметила директор ВСФ ФГУП «ВНИИФТРИ» Анна Луковникова.
Ключевое назначение МДП — использование их в качестве рабочих эталонов для калибровки и поверки измерительных систем, применяемых при испытаниях на высоких и сверхвысоких частотах. Меры диэлектрических параметров МДП являются многозначными и состоят из нескольких элементов с разными значениями диэлектрических параметров. В зависимости от геометрической формы элементов мера имеет четыре модификации: МДПс-стержни, МДПп-подложки, МДПдн-диски в диапазоне низких частот и МДПдв-диски в диапазоне высоких частот. Это делает новые меры универсальным инструментом для калибровки низкочастотной и СВЧ-аппаратуры на предприятиях радиоэлектронной и микроэлектронной промышленности.
Изготовленные по государственным стандартам, они обеспечивают высокую достоверность измерений, прослеживаемость к Государственным первичным эталонам и внесены в Государственный реестр, что позволяет их использовать отечественным промышленным предприятиям, лабораториям и Центрам стандартизации и метрологии системы Росстандарта.
Кроме того, ВНИИФТРИ разработал отечественный измерительный зонд и калибровочную пластину (плату) для высокоточных измерений параметров микроэлектронных устройств на подложке. Новый прибор позволяет выполнять точные измерения как на макро-, так и на микроскопическом уровне, особенно востребованные при работе с радиочастотными и высокочастотными устройствами, а также при контроле качества сборки и исследованиях материалов микроэлектроники.
«Расширение отечественного производства радиотехнических систем и аппаратных комплексов невозможно без опережающего развития измерительных технологий. Уже в 2026 году новые зонды разработки ВНИИФТРИ станут доступны для заказа, открывая дополнительные возможности для замещения импортных аналогов и укрепляя технологическую независимость страны в сфере электронной промышленности», — отмечает генеральный директор ФГУП «ВНИИФТРИ» Сергей Донченко.
Измерительный зонд ВНИИФТРИ предназначен для использования в установках, проводящих измерения S-параметров — коэффициентов отражения и передачи мощности — в микросхемах и интегральных схемах. Калибровочная пластина применяется для калибровки векторных анализаторов цепей и играет ключевую роль в операциях контроля на всех этапах производства современной электроники.
«Создание собственных измерительных средств и калибровочных пластин имеет стратегическую значимость для отечественной микро- и наноэлектроники. Эти решения позволяют предприятиям минимизировать зависимость от зарубежных компонентов, обеспечивать метрологическую прослеживаемость измерений и удовлетворять требованиям современных стандартов. Это особенно важно в условиях стремительного развития микроэлектронной промышленности, роста объёмов производства и повышения требований к качеству конечной продукции», — говорит заместитель начальника отдела измерений в радиочастотных трактах ФГУП «ВНИИФТРИ», один из разработчиков нового прибора, Александр Бондаренко.
Серийное производство нового прибора планируется начать в 2026 году. Кроме того, по итогам XIV Научно-технической конференции «Метрология в радиоэлектронике» в адрес Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии (Росстандарт) было внесено предложение о создании рабочей группы при комиссии по радиотехническим измерениям, которая займётся стандартизацией требований к зондовым измерениям микроэлектронных структур на пластине.