Вопреки санкциям крупнейший китайский производитель чипов памяти YMTC совершил ещё один прорыв в дизайне


YMTC внедрила свою новую конструкцию микросхемы памяти Xtacking4.0 в 3D-чип NAND с самой высокой плотностью в отрасли.

Согласно отчёту TechInsights, корпорация Yangtze Memory Technologies (YMTC), ведущий китайский производитель микросхем флэш-памяти, добилась значительного технологического прорыва, несмотря на санкции США, на фоне стремления Пекина к технологической самодостаточности.

YMTC внедрила свою новую конструкцию микросхемы памяти Xtacking4.0 в 3D-чип NAND с самой высокой плотностью в отрасли.

Чип имеет двухъярусную структуру: нижний ярус с 150 вентилями и верхний ярус с 144 вентилями — всего 294 вентиля. Для соединения двух пластин используется так называемая гибридная технология.

После выпуска в прошлом году устройств Xtacking4.0, таких как 160-слойный продукт YMTC, отраслевые эксперты ожидали, что компания внедрит эту архитектуру в продукты с большим количеством слоёв.
Эта новая конструкция превосходит по сложности своего предшественника, в котором было в общей сложности 180 вентилей. Несмотря на изменённую внутреннюю компоновку, самым заметным достижением является плотность хранения данных, которая является рекордной в отрасли и составляет более 20 гигабит на квадратный миллиметр. По оценкам TechInsights, конструкция содержит около 270 активных слоёв памяти.

«Важный вывод заключается в том, что китайская компания YMTC опередила конкурентов на рынке, — сказал старший аналитик TechInsights Чондон Чо, написавший отчёт. — С помощью новой технологии Xtacking4.0 компания YMTC, похоже, нашла способ обойти действующий запрет с помощью этого нового чипа».

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *