Специалисты Института ядерной физики им. Г. И. Будкера СО РАН (Новосибирск) за три года планируют восстановить технологический накопительный комплекс (ТНК) в Зеленограде, сообщил директор ИЯФ академик РАН Павел Логачев.
«Технологический накопительный комплекс будет востребован для разработки отечественной технологической цепочки производства микроэлектроники. Это будет основной инструмент, который позволит создавать, испытывать и отлаживать технологию так называемых литографов, которые делает, фактически, одна компания в мире», — сказал Логачев.
Он уточнил, что ИЯФ разработал ТНК еще на рубеже 1980-1990 годов, однако установка не была запущена из-за развала Советского Союза.
С технической точки зрения установка представляет собой источник синхротронного излучения.
В настоящее время корпус для ТНК, расположенный рядом с заводом «Микрон» в Зеленограде, принадлежит Курчатовскому институту.
«Мы запустим этот комплекс через три года, он будет основным элементом разработки литографа», — сказал Логачев, уточнив, что стоимость проекта — около 500 млн рублей.
Кроме того, сказал он, ИЯФ приступил к созданию ускорительной части отечественного имплантора для микроэлектроники — устройства, работа по которому ведется совместно с НИИ точного машиностроения (Зеленоград), разрабатывающим систему подготовки и перемещения кремниевых пластин.
«Мы делаем ускоритель специальный для разгона ионов, которые имплантируются, то есть внедряются, в поверхностную область этих полупроводниковых пластин», — сказал Логачев.
Имплантация ионов на пластину проводится несколько десятков раз за технологический цикл изготовления микросхем, уточнил он.
«Здесь тоже за три года мы сделаем опытный образец машины на средние энергии и на высокие энергии, и, таким образом, совместно с НИИ точного машиностроения постараемся эту позицию закрыть в технологической цепочке», — сказал академик.
В данном случае, отметил Логачев, ускорительная часть будет напоминать промышленные ускорители.
Обе технологии являются ключевыми для функционирования микроэлектронной промышленности.