В России создают оборудование для 28-нм микроэлектронного производства


В России планируют создать оборудование для производства микросхем топологического уровня 28 нм и меньше. Для его создания будут использованы производственные мощности Зеленоградского нанотехнологического центра и «Микрона». Проект по заказу Минпромторга должен быть реализован до конца 2022 г.

«Микрон» совместно с «Московским институтом электронной техники» (МИЭТ) и Зеленоградским нанотехнологическим центром разработают оборудование для производства микросхем топологического уровня 28 нм и меньше. Об этом пишет CNews со ссылкой на сайт МИЭТ.

Научно-исследовательской работой (НИР) для создания оборудования займутся ученые Центра коллективного пользования «Микросистемная техника и электронная компонентная база» МИЭТ.

Проект должен быть реализован до конца 2022 г. по заказу Минпромторга в рамках госпрограммы «Развитие электронной и радиоэлектронной промышленности».

НИР будет заключаться в изучении возможности разработки установки безмасочной рентгеновской нанолитографии (технологии изготовления электронных микросхем) с длиной волны 13,5 нм на базе синхротронного либо плазменного источника. В сентябре 2021 г. МИЭТ получил грант Минобрнауки на реализацию этих исследований, сообщает сайт университета.

На основе полученных результатов будет разработан технический облик будущей литографической установки, выработаны и обоснованы параметры ее ключевых узлов: источника рентгеновского излучения, оптической системы, вакуумной системы, системы совмещения и позиционирования.

Оборудование планируется создать на базе действующих и запускаемых в стране синхротронов (в ТНК «Зеленоград», НИЦ «Курчатовский институт»), а также на базе отечественных плазменных источников.

Отечественные и мировые аналоги подобного решения и самой технологии безмасочной рентгеновской нанолитографии на сегодняшний день отсутствуют, подчеркивают в университете.

Для изготовления образцов микроэлектромеханических систем динамической маски будут использованы производственные мощности «Микрона» и Зеленоградского нанотехнологического центра.

В Институте физики микроструктур РАН в Нижнем Новгороде и зеленоградском НПП «Электронное специальное технологическое оборудование» конструируют оптическую вакуумную систему с зеркальной оптикой и элементы системы позиционирования.

Для испытаний будет использован источник плазмы, разработанный в Институте спектроскопии РАН.

В феврале 2012 г. на базе «Микрона» было запущено микроэлектронное производство по технологии 90 нм. В создание производства было вложено 16,5 млрд руб., из которых «Ситроникс» и Роснано (участники проекта)инвестировали по 6,5 млрд руб., а еще 3 млрд руб. были привлечены в виде займа. Технология дополнила уже существующую на «Микроне» линию по технологии 180 нм.

В ноябре 2021 г. стало известно о том, что Минпромторг профинансирует разработку отечественного оборудования для производства чипов по топологии 130-65 нм до 2026 г., которая считалась передовой почти два десятка лет назад. На эти цели выделено 5,7 млрд руб., которые достанутся «Зеленоградскому нанотехнологическому центру».

Ссылки по теме

Власти потратят сотни миллиардов на техпроцессы 90 и 28 нм для российской электроники

Рядом с «Ангстремом» строят новый микроэлектронный завод. Возможно, 28-нм

МИЭТ и ОЭЗ «Технополис Москва» создадут «принтер» микросхем с нормами 28 нм и менее

Лидер российской микроэлектроники получил прибыль впервые за 12 лет

Российский «Микрон» удвоит производство чипов лишь к 2025 году

ОЭЗ «Технополис “Москва”» договорилась с Китаем о микроэлектронике

Запасов импортной электроники в России хватит до конца лета

Импортозамещение полупроводников в России займет не менее 15 лет

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *