Компания TSMC представила процесс N4P, усовершенствующий 5-нанометровую технологическую платформу, оптимизируя по критерию производительности.
Новый техпроцесс добавлен к N5, N4, N3. По словам производителя, выбор между ними даёт клиентам возможность остановиться на наиболее подходящем сочетании потребляемой мощности, производительности, площади кристалла и стоимости изделий.
Новый техпроцесс — уже третье крупное усовершенствование 5-нанометровой платформы TSMC. По оценке компании, N4P обеспечивает повышение производительности на 11% по сравнению с исходной технологией N5 и на 6% по сравнению с N4. По сравнению с N5, N4P также обеспечит повышение энергоэффективности на 22% и увеличение плотности транзисторов на 6%. Кроме того, N4P снижает сложность процесса и сокращает время цикла выращивания пластины за счёт уменьшения количества масок.
Соответствует ли название технормам 4 нм и какое место в этом техпроцессе занимает EUV-литография, производитель пока не уточнил.
Как утверждается, проекты N4P будут хорошо поддерживаться комплексной экосистемой проектирования TSMC. Ожидается, что первые продукты, основанные на технологии N4P, будут переданы в производство ко второй половине 2022 года.