https://lauftex.ru/product/lf-21060-lcw-tsifrovoy-signalnyy-protsessor

Samsung может выделить $10 млрд для строительства 3-нм фаундри в США


Компания Samsung Electronics рассматривает возможность потратить более 10 млрд долларов на строительство самого современного завода по производству логических микросхем в Соединенных Штатах.

Компания надеется, что это крупное вложение привлечет больше клиентов в США и поможет ей догнать лидера отрасли TSMC.

Информаторы, знакомые с вопросом, сообщили, что крупнейший в мире производитель микросхем памяти и смартфонов изучает возможность строительства завода в Остине, штат Техас. На этом предприятии планируется освоить нормы 3 нм.

Источники уточняют, что это предварительный план, который может измениться в будущем. Пока планируется начать строительство в этом году, установить основное оборудование в следующем и приступить к выпуску продукции в 2023 году.

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *