Samsung Electronics приступила к серийному выпуску 16 Гбит NAND флэш [[по 51 нм процессу]]
Скорость чтения и записи увеличена на 80% по сравнению с предыдущими приборами и составляет 30 Мбайт/с и 8 Мбайт/с, соответственно (17 и 4.4 Мбайт/с при 60 нм процессе).