Российские ученые разработали новый материал, совместимый с кремниевой технологией, для создания эффективных устройств нанофотоники

Развитие современных систем скоростной оптической связи и вычислительных систем направлено на снижение размера и энергопотребления оптических интегральных схем. Успешное решение задачи миниатюризации электроники требует разработки новых конкурентоспособных и экономически оправданных технологий их производства. Сегодня существенная проблема, ограничивающая развитие таких систем — несовместимость материалов и технологий, применяемых для создания источников светового излучения, передающего информацию, с кремниевыми схемами регистрации и обработки сигналов. Это обстоятельство затрудняет создание систем оптоволоконной связи нового поколения, обеспечивающих повышенную скорость передачи данных. Соответственно, перед учеными стоит задача разработки новых типов полупроводниковых материалов, перспективных для внедрения в массовое производство оптоэлектронных компонентов.

Гибрид резистивной и фазовой памяти может похоронить флеш-память

Исследователи из Университета Рочестера разработали новый тип энергонезависимой памяти, взяв за основу хорошо известную память ReRAM (резистивную) и память PRAM (с фазовым переходом). Гибрид оказался настолько хорош, что со временем может стать наследником популярной флеш-памяти.

Как отмечают учёные, каждой памяти по отдельности — резистивной (её иногда называют мемристором) и с фазовым переходом — присущи как свои достоинства, так и ...